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氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构

申请号: CN202410004403.7
申请人: 长鑫新桥存储技术有限公司
申请日期: 2024/1/3

摘要文本

本公开涉及一种氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构。该制备方法包括:提供前驱体溶液,用所述前驱体溶液形成初始前驱体;对所述初始前驱体进行微波处理;对微波处理后的所述初始前驱体进行氮等离子体处理得到前驱体;在水汽环境下对所述前驱体进行退火,形成氧化硅薄膜。本公开利于降低生产成本并提升氧化硅薄膜的制程稳定性及生产良率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 氧化硅薄膜的制备方法及半导体结构
专利类型 发明申请
申请号 CN202410004403.7
申请日 2024/1/3
公告号 CN117524851A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 H01L21/02
权利人 长鑫新桥存储技术有限公司
发明人 余鹏祥
地址 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号

专利主权项内容

1.一种氧化硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括:提供前驱体溶液,用所述前驱体溶液形成初始前驱体;对所述初始前驱体进行微波处理;对微波处理后的所述初始前驱体进行氮等离子体处理得到前驱体;在水汽环境下对所述前驱体进行退火,形成氧化硅薄膜。。(来 自 马 克 数 据 网)