5bit带符号位的同或与同或累加运算电路、CIM电路
摘要文本
本发明属于集成电路领域,具体涉及一种5bit带符号位的同或与同或累加运算电路、CIM电路。其具有数据存储和逻辑运算功能,该电路包括8T‑SRAM单元,以及由N1~N6,P1、P2构成的计算单元;N1的漏极接输出位线IBL1,N1的源极接N3的漏极;N2的漏极接输出位线IBL2,N2的源极接N4的漏极;P1的源极接输出位线CBL1,P1的漏极接N5的漏极;P2的源极接输出位线CBL2,P2、N6的漏极相连;N1、N2、P1和P2的栅极接运算节点FO;N3和N5的栅极接输入信号线INH;N4和N6的栅极接输入信号线INL;N3~N6的源极接地;本发明可以大幅提高神经网络中同或运算的数据处理效率。 来自马-克-数-据
申请人信息
- 申请人:安徽大学; 合肥市微电子研究院有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
- 发明人: 安徽大学; 合肥市微电子研究院有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 5bit带符号位的同或与同或累加运算电路、CIM电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410109635.9 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117636945A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | G11C11/407 |
| 权利人 | 安徽大学; 合肥市微电子研究院有限公司 |
| 发明人 | 彭春雨; 刘筱彧; 朱志国; 张蓓蓓; 赵强; 卢文娟; 蔺智挺; 吴秀龙; 陈军宁 |
| 地址 | 安徽省合肥市经开区九龙路111号; |
专利主权项内容
1.一种5bit带符号位的同或运算电路,其特征在于,其具有数据存储和逻辑运算功能,所述逻辑运算功能包括计算一个带符号的5bit数与单比特权重之间的乘积;所述同或运算电路包括一个由反相器INV1、INV2,以及NMOS管M1~M4构成的8T-SRAM单元,以及一个由NMOS管N1~N6,以及PMOS管P1、P2构成的计算单元;在8T-SRAM单元中,INV1、INV2首尾相连构成包含存储节点Q和QB的锁存器,存储节点Q与M1和M3的源极相连,存储节点QB与M2和M4的源极相连;M1和M2的栅极接字线WL;M1和M2的漏极分别接位线BL和BLB;M3和M4的栅极分别接符号位控制线FP和FN;M3和M4的漏极相连作为运算节点FO;在计算单元中,N1的漏极接输出位线IBL1,N1的源极接N3的漏极;N2的漏极接输出位线IBL2,N2的源极接N4的漏极;P1的源极接输出位线CBL1,P1的漏极接N5的漏极;P2的源极接输出位线CBL2,P2的漏极接N6的漏极;N1、N2、P1和P2的栅极接运算节点FO;N3和N5的栅极接输入信号线INH;N4和N6的栅极接输入信号线INL;N3~N6的源极接地;其中,NMOS晶体管N1的宽长比是N2的两倍,N3是N4的两倍,N5是N6的两倍;PMOS晶体管P1的宽长比是P2的两倍。