半导体结构及其形成方法

摘要文本

本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底内包括有源区，所述有源区包括第一掺杂区和第二掺杂区；形成接触结构于所述衬底的顶面上，所述接触结构包括位于所述第一掺杂区上方且与所述第一掺杂区电连接的第一导电接触结构、以及位于所述第二掺杂区上方的第一隔离结构；去除所述第一隔离结构，形成暴露所述第一导电接触结构侧壁的接触槽；于所述接触槽内形成覆盖所述第一导电接触结构的侧壁的第二隔离结构；于所述接触槽内形成与所述第二掺杂区电连接的第二导电接触结构。本公开降低了半导体结构的制造难度，简化了半导体结构的制程工艺。