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一种基于测试设备的存储芯片的修复方法

申请号: CN202410179287.2
申请人: 悦芯科技股份有限公司
申请日期: 2024/2/18

摘要文本

本发明公开了一种基于测试设备的存储芯片的修复方法,属于芯片测试技术领域,具体包括:采集存储芯片中的失效单元电路信息;将区块编号作为存储键值,失效单元电路坐标作为存储值,构建X‑Y和Y‑X哈希表结构;对哈希表进行遍历,若存在超过预设阈值的失效单元电路集合,则将该集合称为特定失效单元电路,分配特定类型备用电路修复该区域;若无可用的备用电路,则标记并删除该存储芯片;若不存在超过预设阈值的失效单元电路集合,则将该集合称为稀疏失效单元电路,获取最大的集合值,分配备用电路,若无可用的备用电路,则标记并删除该存储芯片;若有可用的备用电路,则正常修复;本发明提升了对失效单元电路的修复利用率。 (更多数据,详见马克数据网)

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于测试设备的存储芯片的修复方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410179287.2
申请日 2024/2/18
公告号 CN117727356A
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 G11C29/44
权利人 悦芯科技股份有限公司
发明人 潘志富; 刘金海; 李海涛; 郭琦; 何肖珉
地址 安徽省合肥市经济技术开发区宿松路3963号智能装备科技园D1栋东侧2层

专利主权项内容

1.一种基于测试设备的存储芯片的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:测试设备连接存储芯片进行测试,将存储芯片划分为若干个区块并编号,从二进制测试日志中提取存储芯片中的失效单元电路信息;统计不同区块下的失效单元电路的数量,将任一区块的编号作为存储键值,该区块的失效单元电路数量和失效单元电路坐标信息(X,Y)作为存储值,将所有的失效单元电路信息存储到哈希表数据结构中;在任一区块中,分别以任一X地址位作为键值,对应的Y地址位的集合作为存储值,得到X-Y哈希表结构;分别以任一Y地址位作为键值,对应X地址位集合作为存储值,得到Y-X哈希表结构;分别对X-Y哈希表结构和Y-X哈希表结构进行遍历,获取任一X地址位对应的Y地址位集合Gx,任一Y地址位对应的X地址位集合Gy,若存在集合Gx的数值大于列备用电路用于修复列方向的最大数量,则任意分配一组行备用电路修复;若存在集合Gy的数值大于行备用电路用于修复行方向的最大失效单元电路数;则任意分配一组列备用电路修复;若无可分配的行/列备用电路,则标记并删除该存储芯片,并更新哈希表结构,停止遍历;若有可分配的行/列备用电路,则更新X-Y和Y-X哈希表结构,删除已修复的失效单元电路地址信息;比较删除后的X-Y和Y-X哈希表结构中,每个键值对应的存储值的集合大小,获取最大的集合值M,若M对应的是X地址位坐标,则分配行备用电路,若M对应的是Y地址位坐标,则分配列备用电路,若无可使用备用电路,则标记该存储芯片并删除;若有可使用备用电路,则记录该备用电路使用情况,更新X-Y和Y-X哈希表结构,删除已修复的失效单元电路地址信息,直至X-Y和Y-X哈希表结构中数据值为空,停止遍历,则该存储芯片能够被正常修复。