半导体结构及其制备方法

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底；栅极结构，栅极结构位于基底的部分表面上，栅极结构包括依次层叠的栅介质层、栅导电层以及栅盖帽层，栅盖帽层具有凹槽；第一间隔层以及第二间隔层，第一间隔层位于栅极结构的侧壁，第二间隔层位于第一间隔层的侧面；保护层，保护层共形覆盖基底的部分表面、第二间隔层的表面以及栅盖帽层的顶面；保护层还共形覆盖凹槽的内壁面，位于凹槽底部的保护层的顶面不高于第二间隔层的顶面；介质层，介质层覆盖保护层的表面。本公开实施例提供的半导体结构及其制备方法可以提高半导体结构的良率。