半导体结构及其形成方法

摘要文本

本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底内具有沿第一方向间隔排布的多个有源区、以及位于相邻所述有源区之间的隔离区，所述第一方向平行于所述衬底的顶面；形成包括多个第一开口和多个第二开口的第一掩膜层于所述衬底的顶面上，所述第一开口和所述第二开口沿所述第一方向交替排布，所述第一开口的底部暴露所述有源区，所述第二开口的底部暴露所述隔离区；形成连续填满沿所述第一方向交替排布的多个所述第一开口和所述第二开口的导电结构。本公开简化了半导体结构的制程工艺，并提高了半导体结构的制造良率。