半导体结构及其制作方法

专利主权项内容

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一沟槽，所述衬底包括有源区以及环绕所述有源区设置的隔离结构，所述第一沟槽包括相连的第一槽部和第二槽部，所述第一槽部暴露出所述有源区的中间区域，所述第二槽部暴露出部分所述隔离结构，所述第二槽部的尺寸小于所述第一槽部的尺寸；形成接触材料层和第一隔离层，所述接触材料层填充所述第一槽部并覆盖所述第二槽部的侧壁，所述第一隔离层覆盖所述第二槽部中的所述接触材料层并填充所述第二槽部未被填充的区域；刻蚀去除所述第二槽部中暴露出的所述接触材料层，以使所述第一隔离层底部的所述接触材料层和所述第一槽部中的所述接触材料层断开，所述第一槽部中剩余的所述接触材料层形成位线接触插塞。