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一种四甲基硅烷的制备方法

申请号: CN202410094628.6
申请人: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司; 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司
申请日期: 2024/1/24

摘要文本

本发明涉及硅基前驱体材料的合成技术领域,尤其涉及一种四甲基硅烷的制备方法。本发明提供了一种四甲基硅烷的制备方法,包括以下步骤:将金属锂和有机溶剂混合,得到锂混合液;在所述锂混合液中加入三甲基氯硅烷后,进行第一搅拌,通入氯甲烷,进行第二搅拌后,依次进行蒸馏和精馏,得到所述四甲基硅烷。本发明所述制备方法的反应原理是(CH3)3SiCl+CH3Cl+2Li→(CH3)4Si+2LiCl,所述制备方法操作简单、原料易得、无副产物且得到的产品纯度较高。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种四甲基硅烷的制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410094628.6
申请日 2024/1/24
公告号 CN117624214A
公开日 2024/3/1
IPC主分类号 C07F7/08
权利人 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司; 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司
发明人 王伟; 徐昕; 王乐强; 张大伟
地址 安徽省滁州市全椒县十字镇杨岗大道88号; 安徽省芜湖市芜湖经济技术开发区保顺路88号

专利主权项内容

1.一种四甲基硅烷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将金属锂和有机溶剂混合,得到锂混合液;在所述锂混合液中加入三甲基氯硅烷后,进行第一搅拌,通入氯甲烷,进行第二搅拌后,依次进行蒸馏和精馏,得到所述四甲基硅烷。