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一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法

申请号: CN202410019972.9
申请人: 山东高特威尔电子科技有限公司
申请日期: 2024/1/6

摘要文本

本发明涉及应用于陶瓷基板镀膜技术领域的一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法,通过双层靶材的设置,自带隐藏式的备用靶材,当溅射过程中需要更换时,无需开启镀膜机,通过速换机构可在镀膜机关闭的情况自动对外显靶片和内隐靶片进行快速换位,达到无需中断溅射过程,或者仅需中断很少的时间即可实现对靶材的更换,达到提高效率的效果,相较于现有技术,无需重新营造氩气气氛,既能有效降低对氩气的浪费,同时大幅度降低对陶瓷基板镀金属膜效率的影响;另外配合靶材监控组件的设置,可对双层靶材进行监控,便于及时进行外显靶片和内隐靶片的换位,进而有效维持陶瓷基板镀膜的高效进行。 数据由马 克 数 据整理

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410019972.9
申请日 2024/1/6
公告号 CN117778978A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 C23C14/35
权利人 山东高特威尔电子科技有限公司
发明人 陈佳明
地址 山东省临沂市临沭县滨海高新技术产业区滨海大道1号

专利主权项内容

1.一种基于磁控溅射技术的陶瓷基板制造方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、首先对陶瓷基板进行超声波清洗,并烘干,然后将烘干后的陶瓷基板放入磁控溅射镀膜机内;S2、然后对镀膜机内进行抽出空气并引入氩气的操作,使镀膜机内维持低压氩气氛围,然后启动镀膜电源,始进行磁控溅射镀膜的过程,磁板阵产生磁力线,撞击双层靶材(1),使双层靶材(1)的金属原子被溅射至至陶瓷基板上,堆积形成金属膜;S3、当磁控溅射过程中当双层靶材(1)消耗过多需要更换双层靶材(1)时,临时关闭镀膜电源,使磁板阵断电,此时通过速换机构使双层靶材(1)换位,转换被消耗的靶材以及隐藏的备用靶材的位置,使隐藏的备用靶材直接暴露,使溅射过程连续进行,直至金属层达到目标厚度。