一种氮化镓HEMT器件及其制备方法

摘要文本

本发明属于氮化镓HEMT器件技术领域，具体涉及一种氮化镓HEMT器件及其制备方法，其自一侧向另一侧依次设置有衬底、成核层、缓冲层、插入层、AlGaN势垒层、SiN帽层和钝化层，插入层和AlGaN势垒层形成异质结，所述SiN帽层经过氧等离子体处理，氧等离子体处理时，上电极功率为50~600 W，下电极功率为0~100 W，不为0。通过氧等离子体处理原位生长SiN帽层的方法降低了氮化镓HEMT中的关态漏电，提高了开关选择比，降低表面粗糙度，提高栅极肖特基势垒高度，提高了击穿电压。