一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法
摘要文本
本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法，制备方法包括：在N‑GaAs衬底生长N‑GaAs缓冲层、N型DBR结构、N‑AlGaAs空间层、周期性GaAs/InGaAs多量子阱层、P‑AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；刻蚀孔状结构、腐蚀环形空腔；填充SiO2填料；制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。该制备方法代替了湿法氧化制备电流限制的方法，能够快速、均匀的制备环形限制结构，可以提高生产速率。降低了对严苛工艺参数的依赖和工艺门槛，能够实现大尺寸晶圆结构的流片工艺，有效提高制备效率，降低制备成本。
申请人信息
- 申请人:山东省科学院激光研究所
- 申请人地址:272073 山东省济宁市高新区海川路46号激光所综合楼
- 发明人: 山东省科学院激光研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410223666.7 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810810A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01S5/183 |
| 权利人 | 山东省科学院激光研究所 |
| 发明人 | 唐先胜; 韩丽丽; 王兆伟; 宫卫华; 李仕龙; 王舒蒙; 张伟 |
| 地址 | 山东省济宁市高新区海川路46号激光所综合楼 |
专利主权项内容
1.一种垂直腔表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供一层N-GaAs衬底；依次在所述N-GaAs衬底上生长N-GaAs缓冲层、N型DBR结构、N-AlGaAs空间层、周期性GaAs/InGaAs多量子阱层、P-AlGaAs空间层和P型DBR结构，得到晶圆结构；其中，所述N型DBR结构为N型AlGaAs/GaAs的DBR结构，所述P型DBR结构为P型AlGaAs/GaAs的DBR结构；依次采用丙酮、酒精和去离子水清洗所述晶圆结构；采用电感耦合等离子体刻蚀技术在所述P型DBR结构内刻蚀多个孔状结构，其中，所述孔状结构的延伸方向与所述P型DBR结构的高度方向相同，所述孔状结构的高度与所述P型DBR结构的高度相同；将刻蚀后的所述晶圆结构浸泡在HF溶液中，使所述HF溶液通过所述孔状结构腐蚀所述P型DBR结构中的AlGaAs，以在每个所述孔状结构的轴向形成多个间隔分布的环形空腔；采用等离子体增强化学气相沉积技术将SiO填料填充在所述孔状结构和所述环形空腔内；2分别在所述N-GaAs衬底和所述P型DBR结构上制备金属电极，得到垂直腔表面发射激光器。