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一种直接镁热还原制备多孔硅碳复合材料的方法

申请号: CN202410123762.4
申请人: 山东硅纳新材料科技有限公司
申请日期: 2024/1/30

摘要文本

本发明提供一种直接镁热还原制备多孔硅碳复合材料的方法,制备原料包括二氧化硅、镁粉、有机硅聚合物、烷烃类油系溶剂等,通过对原料混合物进行喷雾造粒处理后再在连续气氛回转炉中进行镁热还原反应。本发明中通过使用特定的原料,并对原料进行喷雾造粒和回转烧结等处理,使反应更均匀,避免了反应中的巨大热量集中等问题。本发明的反应过程温和、可控,且产量高、纯度高,直接镁热还原制得的多孔硅碳复合材料粒径均匀,稳定性好,具有优异的导电性、循环稳定性等电化学性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种直接镁热还原制备多孔硅碳复合材料的方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410123762.4
申请日 2024/1/30
公告号 CN117650238A
公开日 2024/3/5
IPC主分类号 H01M4/36
权利人 山东硅纳新材料科技有限公司
发明人 温广武; 王桢; 刘峰; 张俊亭
地址 山东省淄博市临淄区经济开发区金银谷创业园2号厂房

专利主权项内容

1.一种直接镁热还原制备多孔硅碳复合材料的方法,其特征在于,所述方法的具体步骤如下:步骤S1:将二氧化硅、镁粉、有机硅聚合物和烷烃类油系溶剂混合后得到混合溶液;其中,二氧化硅和镁粉的质量比为1.10-1.25,烷烃类油系溶剂的体积为二氧化硅、镁粉和有机硅聚合物的总体积的2-4倍;步骤S2:将混合溶液喷雾造粒成80-120目球形前驱体后,转移至连续气氛回转窑;步骤S3:在惰性气氛下,在连续气氛回转窑中经过升温段预烧,升温段温度为400-500℃,运行1-2h;再经过保温段烧结,保温段温度为650-750℃,运行2-4h;再在降温段冷却,运行1-3h后得到反应物;经过破碎、酸洗再水洗至中性,干燥得到硅颗粒为纳米级的多孔硅碳复合材料。