1.本实用新型涉及晶体炉固定环技术领域，特别涉及一种使用于晶体炉的电极法兰。
背景技术：
2.晶体炉是生产单晶硅、多晶硅、碳化硅的的制造设备。主要由炉体、加热器、计算机控制系统、设备框架、真空抽气系统等部分组成。将原料放入坩埚中，通过加热器对坩埚加热，原料直接气化升华后再籽晶上结晶。在碳化硅晶体炉中采用电阻加热线圈对坩埚加热。在晶体生产过程中需要对电阻加热线圈进行冷却处理，然而现有的晶体生长炉真空管冷却机构大都依靠设置在炉壁上的冷却管进行冷却，而法兰仅起到密封作用，这无疑降低了冷却效率。在中国专利cn201520060392.0中公开了一种晶体生长炉加热体，其通过多个硼化锆石墨复合u型发热体安装在炉底上，其冷端从炉底穿出，相临的两个冷端由发热体夹具连接在一起，使其变成冷端-热端-冷端-热端的串接结构，按此方式连接的硼化锆石墨复合u型发热体组成完成的加热体结构，只通过一组接线端即可完成对所有硼化锆石墨复合u型发热体供电。
3.上述结构虽不需要另加一套水冷系统对接线端进行冷却，但是硼化锆材料价格昂贵，制造成本高，不利于企业控制成本。
技术实现要素：
4.有鉴于此，本实用新型提供了一种可以用较低价格达到较高散热效果的使用于晶体炉的电极法兰，以满足工业需求。
5.一种使用于晶体炉的电极法兰，用于将一电极组件安装于一晶体炉盖板上，其特征在于：所述晶体炉盖板上开设有两个电极安装孔，所述电极安装孔的周向外侧设置有卡接槽，所述卡接槽上开设有至少两个螺纹孔，电极组件中设置有冷却流道，所述使用于晶体炉的电极法兰包括一个固定环，所述固定环的中部开设有一个电极通孔，所述固定环上于电极通孔的周围间隔设置有至少两个固定块，两个相邻的固定块之间形成有流道槽，所述固定块上贯穿开设有安装孔，安装孔进一步贯穿固定环，所述安装孔与螺纹孔相对，所述固定块覆盖在晶体炉盖板的螺纹孔上，至少一个流道槽与冷却流道的入口连通，至少一个流道槽与冷却流道的出口连通。
6.进一步地，所述固定块的形状为扇形。
7.进一步地，所述螺纹孔、固定块及流道槽的数量均为四个，四块所述固定块之间的间隔距离相同。
8.进一步地，所述固定块的外径尺寸小于所述固定环主体的外径尺寸。
9.进一步地，所述电极通孔朝向所述固定块的端面上设置有阶梯槽，所述阶梯槽深度为0.5～1mm。
10.进一步地，所述固定环的厚度为8～10mm。
11.与现有技术相比，本实用新型提供的使用于晶体炉的电极法兰通过将所述固定环嵌入晶体炉盖板连接固定，使得外部晶体炉盖板能够具有多个电极通孔，使其在加热时，晶体炉内的原料粉受热均匀，设置在所述固定环上的流道槽能够帮助电极散热，使其能够长时间做功，提高加工效率。
附图说明
12.图1为本实用新型提供的使用于晶体炉的电极法兰的结构示意图。
13.图2为使用于晶体炉的电极法兰的另一角度的结构示意图。
14.图3为晶体炉盖板的部分结构示意图。
具体实施方式
15.以下对本实用新型的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解的是，此处对本实用新型实施例的说明并不用于限定本实用新型的保护范围。
16.如图3所示，其为一设置于一晶体炉顶部的晶体炉盖板20的结构示意图。所述晶体炉盖板20为圆盘形，所述晶体炉盖板20上开设有两个电极安装孔21，所述电极安装孔21的周向外侧设置有卡接槽22，所述卡接槽22上开设有至少两个螺纹孔23。晶体炉的炉体为市面上常用的圆筒形。
17.所述使用于晶体炉的电极法兰包括一个固定环10，四个间隔设置在所述固定环10一端面上的固定块11，所述固定环10的中部开设有一个电极通孔12，相邻的两个所述固定块11之间形成有流道槽13，所述使用于晶体炉的电极法兰还包括其他的一些功能模块，如焊接端面等等，其应当为本领域技术人员所习知的技术，在此不再一一详细说明。
18.所述固定环10安装在所述卡接槽22中。
19.请参阅图1，所述固定块11上贯穿开设有安装孔111，所述安装孔111进一步贯穿固定环10。所述安装孔111通过螺柱与所述晶体炉盖板20上的螺纹孔23连接。所述安装孔111的数量与所述螺纹孔23的数量相同。所述固定块11覆盖在晶体炉盖板20的螺纹孔23上，使得冷却流体不会进入到晶体炉盖板20上的螺纹孔23，进而不会进入到晶体炉中。
20.所述固定环10由金属制成，所述固定环10的厚度为8～10mm，且所述固定环10的边缘棱角处皆经过倒角，避免边缘毛刺影响密封效果。
21.四个所述固定块11的形状均为扇形，其圆心与所述固定环10的圆心重合。所述固定块11的内侧壁112以及外侧壁113皆为相同r角的圆弧形。所述固定环10在外部设备上的角度及位置都相同。四块所述固定块11之间的间隔距离相同，且边缘皆经过倒角处理，使其能够顺畅的与定位片配合定位。所述固定块11的内侧壁以及外侧壁的r角与所述固定环主体10的外侧圆弧边相同。
22.所述电极通孔12的中心轴线与所述固定环10的中心轴线重合。所述电极通孔12朝向所述固定块11的端面上设置有一层阶梯槽121，所述阶梯槽121深度为0.5～1mm。一电极组件安装于电极通孔12中且与所述阶梯槽121卡接固定。
23.所述流道槽13可以通过铣床加工获得，其应当为该行业人员所熟知技术，在此不再赘述。
24.电极组件中设置有冷却流道，冷却流道与所述流道槽13连通，所述流道槽13用于
进出冷却流体，以便于对电极组件进行冷却。用户可根据需要使用其中的任意两个流道槽13，其中一个流道槽13与冷却流道的入口连通，另一个流道槽13与冷却流道的出口连通，两个流道槽13之间通过隔离件隔离，也可通过电极组件的自身结构进行隔离。不使用的流道槽13可通过封堵件进行封堵。其它实施方式中，电极组件中也可设置有两个独立的冷却流道，此时两个所述流道槽13分别与两个冷却流道的入口连通，另外两个所述流道槽13分别与两个冷却流道的出口连通。
25.使用时，所述电极法兰安装在晶体炉盖板20上，并与所述晶体炉盖板20焊接固定。电极组件插设在所述电极通孔12内。所述阶梯槽121与电极卡接固定。通过所述流道槽13向电极组件中的冷却流道加入冷却流体，实现对电极组件的冷却。
26.与现有技术相比，本实用新型提供的使用于晶体炉的电极法兰通过将所述固定环10嵌入晶体炉盖板连接固定，使得外部晶体炉盖板能够具有多个电极通孔，使其在加热时，晶体炉内的原料粉受热均匀，设置在所述固定环10上的流道槽13能够帮助电极散热，使其能够长时间做功，提高加工效率。
27.以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用于局限本实用新型的保护范围，任何在本实用新型精神内的修改、等同替换或改进等，都涵盖在本实用新型的权利要求范围内。
技术特征：
1.一种使用于晶体炉的电极法兰，用于将一电极组件安装于一晶体炉盖板上，其特征在于：所述晶体炉盖板上开设有两个电极安装孔，所述电极安装孔的周向外侧设置有卡接槽，所述卡接槽上开设有至少两个螺纹孔，电极组件中设置有冷却流道，所述使用于晶体炉的电极法兰包括一个固定环，所述固定环的中部开设有一个电极通孔，所述固定环上于电极通孔的周围间隔设置有至少两个固定块，两个相邻的固定块之间形成有流道槽，所述固定块上贯穿开设有安装孔，安装孔进一步贯穿固定环，所述安装孔与螺纹孔相对，所述固定块覆盖在晶体炉盖板的螺纹孔上，至少一个流道槽与冷却流道的入口连通，至少一个流道槽与冷却流道的出口连通。2.如权利要求1所述的使用于晶体炉的电极法兰，其特征在于：所述固定块的形状为扇形。3.如权利要求1所述的使用于晶体炉的电极法兰，其特征在于：所述螺纹孔、固定块及流道槽的数量均为四个，四块所述固定块之间的间隔距离相同。4.如权利要求1所述的使用于晶体炉的电极法兰，其特征在于：所述固定块的外径尺寸小于所述固定环主体的外径尺寸。5.如权利要求1所述的使用于晶体炉的电极法兰，其特征在于：所述电极通孔朝向所述固定块的端面上设置有阶梯槽，所述阶梯槽深度为0.5～1mm。6.如权利要求1所述的使用于晶体炉的电极法兰，其特征在于：所述固定环的厚度为8～10mm。
技术总结
一种使用于晶体炉的电极法兰，用于将电极组件安装于晶体炉盖板上，所述晶体炉盖板上开设有电极安装孔，所述电极安装孔的周向外侧设置有卡接槽，所述卡接槽上开设有螺纹孔，所述使用于晶体炉的电极法兰包括固定环，所述固定环的中部开设有电极通孔，所述固定环上于电极通孔的周围间隔设置有固定块，相邻的固定块之间形成有流道槽，所述固定块上贯穿开设有安装孔，所述固定块覆盖在晶体炉盖板的螺纹孔上。该使用于晶体炉的电极法兰通过将所述固定环嵌入晶体炉盖板连接固定，使得外部晶体炉盖板能够具有多个电极通孔，使其在加热时，晶体炉内的原料粉受热均匀，设置在所述固定坏上的流道槽能够帮助电极散热，使其能够长时间做功，提高加工效率。提高加工效率。提高加工效率。
技术研发人员：史晓莉 戴永成 戴永丰
受保护的技术使用者：浙江臻强精密机械股份有限公司
技术研发日：2021.09.02
技术公布日：2022/1/21