1.本技术涉及噪声控制技术领域，尤其涉及一种半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料。


背景技术：

2.低频噪声具有传播距离远和透射能力强的特点。传统的隔声技术往往只能阻止中频噪声和高频噪声的传播，并不能有效阻止低频噪声的传播。
3.声学超材料具有负质量密度的特性，可于轻质条件下实现高效隔声。薄膜型声学超材料是一种常见的声学超材料。传统薄膜型声学超材料单元胞能在其反共振频率处能够近乎实现声波的全反射。传统薄膜型声学超材料单元胞包括支撑框架、位于支撑框架上的薄膜、及位于薄膜中心的质量块。
4.通常将传统薄膜型声学超材料单元胞拓展到m*n(m、n为大于1的正整数)多元胞时，该薄膜型声学超材料m*n多元胞中的各单元胞相互隔离，且各个质量块均位于薄膜的中心位置。传统薄膜型声学超材料m*n多元胞的隔声效果小于组成该薄膜型声学超材料m*n多元胞的单元胞的隔声效果的总和，导致该薄膜型声学超材料m*n多元胞难以有效阻止低频噪声传播。例如，声波正入射时，一个单元胞能够产生一个反共振和两个共振，而该薄膜型声学超材料m*n多元胞也只能产生一个反共振和两个共振。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本发明提供一种半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料，以提升薄膜型声学超材料的阻止低频噪声传播的性能。
6.本发明所述的一种半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料，包括至少一层声学超材料单元，所述声学超材料单元包括若干排列为m*n方阵的单元胞，每一单元胞均包括支撑框架、设于所述支撑框架内的薄膜、及设于所述薄膜上的质量块，每一支撑框架包括框壁，每二相邻的单元胞所共用的框壁开设有开孔，使得所述若干单元胞连通，其中，m、n为大于1的正整数。
7.进一步地，每一质量块均设于薄膜的非中心区域。
8.进一步地，至少二质量块设于薄膜的相同位置；或
9.至少二质量块设于薄膜的不同位置。
10.进一步地，每一质量块的质量均不同。
11.进一步地，所述质量块之间的质量差为0.1～0.5g。
12.进一步地，所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料包括若干层声学超材料单元，所述若干层声学超材料单元堆叠设置。
13.进一步地，所述开孔沿孔壁延伸方向的长度为所述孔壁的长度的0.4～0.6倍。
14.进一步地，所述开孔沿孔壁延伸方向的长度为所述孔壁的长度的0.5倍。
15.进一步地，所述质量块的材质为铝、铁、钢、铜、或铅；和/或
16.所述薄膜的材质为弹性硅橡胶、聚乙烯、或聚酰亚胺；和/或
17.所述支撑框架的材质为金属、丙烯腈
‑
丁二烯
‑
苯乙烯共聚物、乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物、或聚氯乙烯。
18.进一步地，所述质量块的横截面为圆形、圆环形、或多边形；和/或
19.所述薄膜为圆形、三角形、长方形、正方形、或正六边形；和/或
20.所述支撑框架为圆形、三角形、长方形、正方形、或正六边形。
21.本技术提供的半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料中，每二相邻的单元胞所共用的框壁开设有开孔，使得所述若干单元胞连通。声波正入射时，不仅像传统没有开孔完全隔离的薄膜型低频隔声声学超材料那样，所述薄膜与质量块之间的振动与反振动的相互影响会产生隔声峰，而且，所述若干连通的单元胞的薄膜与薄膜之间的相互作用而产生额外的隔声峰。质量块将单元胞的膜分为左亚膜与右亚膜。对于半隔离式的多元胞结构，“裂口”可以作为亚膜与亚膜之间的连接，通过增强这些亚膜之间的相互作用，进一步增加隔声频带数量，从而更有效提升薄膜型声学超材料阻止低频噪声传播的性能。
附图说明
22.图1是本技术一实施例提供的半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料的结构示意图，其中，m、n为4。
23.图2是图1所示的半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料的俯视图。
24.图3是本技术另一实施例提供的半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料的俯视图，其中，m、n为2。
25.主要元件符号说明
[0026][0027]
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。
具体实施方式
[0028]
为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0029]
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个
相关的所列项目的所有的和任意的组合。
[0030]
本技术实施例提供一种半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100。
[0031]
请参阅图1和图2，所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100包括至少一层声学超材料单元10，所述声学超材料单元10包括若干排列为m*n方阵的单元胞(参图3)，每一单元胞均包括支撑框架11、设于所述支撑框架11内的薄膜13、及设于所述薄膜13上的质量块15，每一支撑框架11包括框壁111，每二相邻的单元胞所共用的框壁111开设有开孔113，使得所述若干单元胞连通，其中，m、n为大于1的正整数。
[0032]
在至少一实施例中，所述质量块15设于薄膜13且凸出于薄膜13。
[0033]
在至少一实施例中，所述声学超材料单元10呈薄膜13状。
[0034]
在至少一实施例中，所述质量块15的材质为铝、铁、钢、铜、或铅等金属材料。
[0035]
在至少一实施例中，所述质量块15的横截面为圆形、圆环形、或多边形。
[0036]
在至少一实施例中，所述薄膜13的材质为弹性硅橡胶、聚乙烯、或聚酰亚胺等高分子材料。
[0037]
在至少一实施例中，所述薄膜13具有与支撑框架11相匹配的形状，为圆形、三角形、长方形、正方形、正六边形、或其它多边形。
[0038]
在至少一实施例中，所述支撑框架11的材质为金属，或丙烯腈
‑
丁二烯
‑
苯乙烯共聚物、乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物、聚氯乙烯等高分子材料。
[0039]
在至少一实施例中，所述支撑框架11为圆形、三角形、长方形、正方形、正六边形、或其它多边形。
[0040]
在至少一实施例中，所述薄膜13的厚度为0.1～1mm。例如，所述薄膜13的厚度为0.1mm、0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、或1mm。
[0041]
在至少一实施例中，所述框壁111的厚度为1～3mm。例如，所述框壁111的厚度为1mm、2mm、或3mm。
[0042]
在至少一实施例中，所述开孔113沿孔壁111延伸方向的长度为所述孔壁111的长度的0.4～0.6倍。优选地，所述开孔113沿孔壁111延伸方向的长度为所述孔壁111的长度的0.5倍。
[0043]
可以理解的，所述开孔113可将每一单元胞的薄膜13分为左亚膜与右亚膜，膜的不均匀分布可产生更多的隔声峰，并促使质量块15产生旋转运动。另外，所述开孔113还可以作为左亚膜与右亚膜之间的连接，通过增强左亚膜与右亚膜之间的相互作用，可进一步增加隔声频带的数量。
[0044]
本技术提供的半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100中，每二相邻的单元胞所共用的框壁111开设有开孔113，使得所述若干单元胞连通。声波正入射时，所述薄膜13与质量块15之间的振动与反振动的会产生隔声峰，而且，所述若干连通的单元胞的薄膜13也会相互作用，进一步产生更多的隔声峰。所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100在声波正入射时产生的隔声峰的数量大于组成所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100的各个单元胞在声波正入射时分别产生的隔声峰的数量的总和。即，所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100可更有效阻止低频噪声的传播。
[0045]
可以理解的，m、n值越大，所述若干连通的单元胞的薄膜13之间的相互作用也更剧烈，并会产生更多的反共振、共振、及隔声峰。
[0046]
每一质量块15均设于薄膜13的非中心区域。具体的，至少二质量块15设于薄膜13的相同位置，或至少二质量块15设于薄膜13的不同位置。
[0047]
可以理解的，可通过改变各质量块15的质量大小和各质量块15的位置，来调节隔声峰的位置及隔声量的大小。
[0048]
每一质量块15的质量均不同。具体的，所述质量块15之间的质量差为0.1～0.5g。例如，所述若干质量块15之间的质量差为0.1g、0.2g、0.3g、0.4g、或0.5g。
[0049]
本技术技术方案中，所述质量块15均设于薄膜13的非中心区域，使得所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100中的每一单元胞均具有非对称分布的结构。且所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100中的每一质量块15的质量均不同。声波正入射时，所述质量块15不仅进行了平移运动，还会根据质量大小依序进行旋转运动，使得所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100的整体模态与局部模态间的耦合反共振效应非常强烈，从而产生更多的隔声峰，使得所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100可有效阻止低频噪声的传播。
[0050]
所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100包括若干层声学超材料单元10，所述若干层声学超材料单元10堆叠设置。
[0051]
在至少一实施例中，所述若干层声学超材料单元10可通过粘结的方式堆叠设置。
[0052]
本技术技术方案中，所述若干层声学超材料单元10堆叠设置，所述堆叠设置的声学超材料单元10可在低频范围内能进一步产生更多的隔声峰，形成更宽频率段的低频隔声，使得所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100可更有效地阻止低频噪声的传播。
[0053]
请参阅图3，当m、n为2时，所述半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100'的每一声学超材料单元10'均包括4个排列为2*2方阵的单元胞，每一单元胞均包括支撑框架11'、设于所述支撑框架11'内的薄膜13'、及设于所述薄膜13'上的质量块15'，每一支撑框架11'包括框壁111'，每二相邻的单元胞所共用的框壁111'开设有开孔113'，使得所述若干单元胞连通。
[0054]
传统的薄膜型声学超材料四元胞(未图示)的质量块均位于薄膜的中心，且每一质量块的质量均相同。声波正入射时，质量块只进行了平移运动，产生一个反共振和两个共振。
[0055]
本技术将所述现有的薄膜型声学超材料四元胞的质量块均设于薄膜的非中心区域，声波正入射时，质量块不仅进行了平移运动，还进行了旋转运动，可产生两个反共振和两个共振，从而多产生了隔声峰。
[0056]
如果将所述现有的薄膜型声学超材料四元胞的每一质量块的质量均设置为不同。声波正入射时，质量块只进行了平移运动，薄膜与质量块之间的振动与反振动的相互影响会产生隔声峰，且整体模态和局部模态的耦合反共振效应也会产生隔声峰。
[0057]
如果将所述现有的薄膜型声学超材料四元胞的质量块均设于薄膜的非中心区域，且每一质量块的质量均设置为不同。声波正入射时，质量块不仅进行了平移运动，还进行了旋转运动，薄膜与质量块之间的振动与反振动的相互影响会产生隔声峰，且整体模态和局部模态的耦合反共振效应也会产生隔声峰。
[0058]
声波正入射到本案的半隔离式薄膜型低频隔声声学超材料100'时，不仅薄膜13'与质量块15'之间的振动与反振动的相互影响会产生隔声峰，若干连通的薄膜13'也会相互
作用产生隔声峰，从而产生更多的隔声峰。
[0059]
以上仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的发明构思下，利用本技术说明书内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域均包括在本技术的专利保护范围内。