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专利摘要

发明提供一种生产氧化亚硅的方法和装置。
本发明的方法主要是将含硅物质如/氧化硅、硅单质、含硅气体(液体)、不完全氧化的硅特别是金刚线硅切割废浆分离出的干燥成固体硅粉,通过进一步氧化(包括不完全氧化)、还原或添加二氧化硅达到接近生成氧化亚硅的理想配比,然后通过在有利于氧化亚硅溢出的条件下如高形成氧化亚硅气体,再将气体凝结成棒状、板状或颗粒状或粉状氧化亚硅。
本申请一个实施例通过控制硅颗粒(Si)表面的氧化层(SiO

专利状态

基础信息

专利号
CN201810421185.1
申请日
2018-05-04
公开日
2018-11-16
公开号
CN108821292A
主分类号
/B/B01/ 作业;运输
标准类别
一般的物理或化学的方法或装置
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态

发明人

储晞

申请人

储晞

申请人地址

100000 北京市海淀区中关村黄庄824楼305号

专利摘要

发明提供一种生产氧化亚硅的方法和装置。
本发明的方法主要是将含硅物质如/氧化硅、硅单质、含硅气体(液体)、不完全氧化的硅特别是金刚线硅切割废浆分离出的干燥成固体硅粉,通过进一步氧化(包括不完全氧化)、还原或添加二氧化硅达到接近生成氧化亚硅的理想配比,然后通过在有利于氧化亚硅溢出的条件下如高形成氧化亚硅气体,再将气体凝结成棒状、板状或颗粒状或粉状氧化亚硅。
本申请一个实施例通过控制硅颗粒(Si)表面的氧化层(SiO

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