本文描述的技术的各方面涉及包括电容式微机械超声换能器(CMUT)的超声换能器装置以及用于在超声换能器装置中形成CMUT的方法。
一些实施方式包括通过在第一衬底上形成第一绝缘材料层、在第一绝缘材料层上形成第二绝缘材料层、并且然后在第二绝缘材料中蚀刻腔来形成CMUT的腔。
第二衬底可以键合到第一衬底以密封腔。
第一绝缘材料层可以包括例如氧化铝。
第一衬底可以包括集成电路。
一些实施方式包括在形成第一绝缘层和第二绝缘层之前在第一衬底中形成硅通孔(TSV)(中间TSV工艺)或在键合第一衬底与第二衬底之后在第一衬底中形成硅通孔(TSV)(后TSV工艺)。

基思·G·菲费 刘建伟

蝴蝶网络有限公司

美国康涅狄格州

本文描述的技术的各方面涉及包括电容式微机械超声换能器(CMUT)的超声换能器装置以及用于在超声换能器装置中形成CMUT的方法。
一些实施方式包括通过在第一衬底上形成第一绝缘材料层、在第一绝缘材料层上形成第二绝缘材料层、并且然后在第二绝缘材料中蚀刻腔来形成CMUT的腔。
第二衬底可以键合到第一衬底以密封腔。
第一绝缘材料层可以包括例如氧化铝。
第一衬底可以包括集成电路。
一些实施方式包括在形成第一绝缘层和第二绝缘层之前在第一衬底中形成硅通孔(TSV)(中间TSV工艺)或在键合第一衬底与第二衬底之后在第一衬底中形成硅通孔(TSV)(后TSV工艺)。