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专利摘要

本发明公开了一种超声波电源电路及其控制方法,包括串联连接的前级整流电路和后级逆变电路,以及与后级逆变电路连接的超声波换能器;其特征在于:所述的前级整流电路采用倍压整流电路或全桥倍压整流电路,所述的后级逆变电路采用高频逆变电路。
本发明的输出电压更高,输出同样功率的情况下输出电流可以更小,有利于提高效率;还提升该超声波电源的浪涌和雷击防护能力。
而且本发明采用的SiC MOSFET和SiC二极管并联实现超高的开关频率,主要因为SiC MOSFET的体二极管的反向恢复特性比SiC二极管差很多,压降也高很多;使用SiC MOSFET和SiC二极管并联使用可以获得更好的高频开关特性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010923099.8
申请日
2020-09-04
公开日
2020-11-13
公开号
CN111934561A
主分类号
/B/B06/ 作业;运输
标准类别
一般机械振动的发生或传递
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

孙照明

申请人

明芝兰(江苏)电子科技有限公司

申请人地址

223300 江苏省淮安市淮阴区丁集镇七一村村部

专利摘要

本发明公开了一种超声波电源电路及其控制方法,包括串联连接的前级整流电路和后级逆变电路,以及与后级逆变电路连接的超声波换能器;其特征在于:所述的前级整流电路采用倍压整流电路或全桥倍压整流电路,所述的后级逆变电路采用高频逆变电路。
本发明的输出电压更高,输出同样功率的情况下输出电流可以更小,有利于提高效率;还提升该超声波电源的浪涌和雷击防护能力。
而且本发明采用的SiC MOSFET和SiC二极管并联实现超高的开关频率,主要因为SiC MOSFET的体二极管的反向恢复特性比SiC二极管差很多,压降也高很多;使用SiC MOSFET和SiC二极管并联使用可以获得更好的高频开关特性。

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