本发明呈现用于高密度微机电系统MEMS的方法、系统、计算机可读媒体以及设备。
在一些实施例中，用于在衬底上制造微机电装置的方法可包括蚀刻释放通孔穿过所述装置的层。
所述方法可进一步包括使用所述释放通孔作为导管在所述装置的所述层中产生腔以接入所述腔的所需位置，所述腔实现所述装置的变换器的移动。
所述方法可随后包括将低阻抗导电材料沉积到所述释放通孔中以形成穿过所述层的导电路径。
最后，所述方法可包括将所述导电材料电耦合到所述变换器的电极。

唐纳德·威廉·基德韦尔 拉温德拉·谢诺伊 乔恩·拉斯特

高通股份有限公司

美国加利福尼亚州

本发明呈现用于高密度微机电系统MEMS的方法、系统、计算机可读媒体以及设备。
在一些实施例中，用于在衬底上制造微机电装置的方法可包括蚀刻释放通孔穿过所述装置的层。
所述方法可进一步包括使用所述释放通孔作为导管在所述装置的所述层中产生腔以接入所述腔的所需位置，所述腔实现所述装置的变换器的移动。
所述方法可随后包括将低阻抗导电材料沉积到所述释放通孔中以形成穿过所述层的导电路径。
最后，所述方法可包括将所述导电材料电耦合到所述变换器的电极。