一种CMUT单元(10)的阵列具有被耦合到所述单元的膜电极和底板电极的DC偏置电压(VB)以将电极偏置到期望的塌陷状态或部分塌陷状态。
DC偏置电源的低电压或接地端子被耦合到面向患者的膜电极(20)，并且高电压被施加到所述底板电极(22)。
用于控制所述CMUT阵列的ASIC被定位在具有所述阵列的探头(100’)中。
ASIC电子器件相对于所述CMUT探头连接到的超声系统(150)的地电势电学浮动。
电平移位器(90)将控制线(82)和信号线(84)耦合到所述CMUT探头，所述电平移位器将信号转化为所述ASIC的浮动电势并且提供所述CMUT探头与超声系统之间的DC隔离。

B·J·萨沃德

皇家飞利浦有限公司

荷兰艾恩德霍芬

一种CMUT单元(10)的阵列具有被耦合到所述单元的膜电极和底板电极的DC偏置电压(VB)以将电极偏置到期望的塌陷状态或部分塌陷状态。
DC偏置电源的低电压或接地端子被耦合到面向患者的膜电极(20)，并且高电压被施加到所述底板电极(22)。
用于控制所述CMUT阵列的ASIC被定位在具有所述阵列的探头(100’)中。
ASIC电子器件相对于所述CMUT探头连接到的超声系统(150)的地电势电学浮动。
电平移位器(90)将控制线(82)和信号线(84)耦合到所述CMUT探头，所述电平移位器将信号转化为所述ASIC的浮动电势并且提供所述CMUT探头与超声系统之间的DC隔离。