目录

专利摘要

本发明公开了一种电容式微纳超声换能器及其制备方法。
该电容式微纳超声换能器包括:衬底;凹槽阵列,包括多个阵列式排布的凹槽,该凹槽形成容置空间,设置于衬底的上表面;下电极板,设置于凹槽阵列的容置空间之内;上电极板,设置于凹槽阵列之上,并与衬底的上表面接触连接;下电极引线,贯穿衬底,并与凹槽阵列中的下电极板接触连接;上电极引线,贯穿于衬底上不具有凹槽阵列的区域,并与上电极板电性连接。
本发明提供的该电容式微纳超声换能器及其制备方法,具有工艺简单、垂直引线减少寄生电容及互连电阻、封装气密性好、易与电路芯片实现三维堆叠集成的优点,可提高系统的性能和可靠性。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911080138.6
申请日
2019-11-06
公开日
2020-02-11
公开号
CN110773408A
主分类号
/B/B06/ 作业;运输
标准类别
一般机械振动的发生或传递
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张萌 韩国威 司朝伟 宁瑾 杨富华

申请人

中国科学院半导体研究所

申请人地址

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

专利摘要

本发明公开了一种电容式微纳超声换能器及其制备方法。
该电容式微纳超声换能器包括:衬底;凹槽阵列,包括多个阵列式排布的凹槽,该凹槽形成容置空间,设置于衬底的上表面;下电极板,设置于凹槽阵列的容置空间之内;上电极板,设置于凹槽阵列之上,并与衬底的上表面接触连接;下电极引线,贯穿衬底,并与凹槽阵列中的下电极板接触连接;上电极引线,贯穿于衬底上不具有凹槽阵列的区域,并与上电极板电性连接。
本发明提供的该电容式微纳超声换能器及其制备方法,具有工艺简单、垂直引线减少寄生电容及互连电阻、封装气密性好、易与电路芯片实现三维堆叠集成的优点,可提高系统的性能和可靠性。

相似专利技术