本公开实施例提供一种研磨方法以及研磨系统，研磨系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。
一旦在腔室内形成浆料储存池，所述研磨系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。
晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。
在CMP工艺期间，所述研磨系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。

刘志文 郑皓云 涂哲豪 陈科维

台湾积体电路制造股份有限公司

中国台湾新竹市

本公开实施例提供一种研磨方法以及研磨系统，研磨系统以控制化学机械研磨浆料流入腔室以在腔室内形成浆料储存池。
一旦在腔室内形成浆料储存池，所述研磨系统就将研磨头移动到位置并迫使附接到研磨头的晶片的表面与附接到腔室内的平台的研磨垫接触。
晶片/垫的界面形成在被迫与研磨垫接触的晶片表面上，并且晶片/垫的界面设置在浆料储存池的上表面下方。
在CMP工艺期间，所述研磨系统控制压板的水平和力和旋转以及抛光头的位置和力和旋转中的一或多者，以在晶片/垫的界面处进行晶片表面的CMP工艺。