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专利摘要

本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置,该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨,去除第一区域的氧化物;对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附,去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质;利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨,海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度;对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附,去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质;对靶材进行烘烤;对靶材的溅射面进行等离子处理,对靶材的溅射面进行第三次打磨。
通过该方法清洁靶材,可以获得更加平整的表面,避免出现尖端放电现象,并且不会造成车间污染。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811145384.0
申请日
2018-09-29
公开日
2021-01-22
公开号
CN109295427B
主分类号
/B/B24/ 作业;运输
标准类别
磨削;抛光
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

刘伟 刘伟文 陈丹丹 林海华 彭绍文

申请人

厦门乾照光电股份有限公司

申请人地址

361100 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号

专利摘要

本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置,该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨,去除第一区域的氧化物;对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附,去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质;利用海绵砂块的第二面对靶材的溅射面进行第二次打磨,海绵砂块第二面的粗糙度小于海绵砂块第一面的粗糙度;对第二次打磨过程中产生的打磨杂质进行第二静电吸附,去除第二次打磨过程中产生的打磨杂质;对靶材进行烘烤;对靶材的溅射面进行等离子处理,对靶材的溅射面进行第三次打磨。
通过该方法清洁靶材,可以获得更加平整的表面,避免出现尖端放电现象,并且不会造成车间污染。

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