提供一种SiC晶片的生成方法，其能够高效地将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离。
该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；以及SiC晶片生成工序，将SiC晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对SiC晶锭(2)赋予具有与SiC晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将SiC晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(34)。

平田和也

株式会社迪思科

日本东京都

提供一种SiC晶片的生成方法，其能够高效地将SiC晶片从单晶SiC晶锭剥离。
该SiC晶片的生成方法包括下述工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离SiC晶锭(2)的第一面(4)(端面)相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对SiC晶锭(2)照射激光光线(LB)，形成剥离层(22)，该剥离层(22)由SiC分离成Si和C的改质部(18)和从改质部(18)起在c面各向同性地形成的裂纹(20)构成；以及SiC晶片生成工序，将SiC晶锭(2)浸渍于液体(26)中，藉由液体(26)对SiC晶锭(2)赋予具有与SiC晶锭(2)的固有振动频率近似的频率以上的频率的超声波，由此以剥离层(22)为界面将SiC晶锭(2)的一部分剥离而生成SiC晶片(34)。