本发明涉及一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料的制备方法，包括如下步骤：(1)先利用切割设备将半导体材料切割出晶片；(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上；(3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片；(4)对固定在支撑物上的晶片进行抛光处理；(5)对抛光后的晶片进行表面清洗处理。
本发明的超精密半导体材料具有较低的粗糙程度以及较高的加工质量，且能够避免晶片破损的风险，适于进行外延生长，可以广泛用于电子、通讯及能源等行业。

不公告发明人

郑君雄

518000 广东省深圳市南山区科技园科发路1号

本发明涉及一种用于电子、通讯行业的超精密半导体材料的制备方法，包括如下步骤：(1)先利用切割设备将半导体材料切割出晶片；(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上；(3)在研磨机上研磨固定在支撑物上的晶片；(4)对固定在支撑物上的晶片进行抛光处理；(5)对抛光后的晶片进行表面清洗处理。
本发明的超精密半导体材料具有较低的粗糙程度以及较高的加工质量，且能够避免晶片破损的风险，适于进行外延生长，可以广泛用于电子、通讯及能源等行业。