用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部及侧壁上沉积膜，以及对膜进行处理以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。
相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子体从特征的顶部与底部选择性地干式蚀刻膜。

李宁 M·巴尔西努 夏立群 D·杨 王安川

应用材料公司

美国加利福尼亚州

用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部及侧壁上沉积膜，以及对膜进行处理以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。
相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子体从特征的顶部与底部选择性地干式蚀刻膜。