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专利摘要

基于光选择性调控金属‑二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法,它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。
器件:包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。
方法:高阻硅上涂光刻胶,前烘、曝光、显影和定影;淀积金属;淀积Parylene,形成掩膜结构;涂钙钛矿溶液;退火;淀积Parylene,形成掩膜结构;涂钙钛矿溶液;退火。
本发明应用条件简便、工作模式可自由切换,工艺简单、成本低。
本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910833267.1
申请日
2019-09-04
公开日
2019-12-03
公开号
CN110534910A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

贺训军 金宇航 姚远 杨玉强 杨文龙 姜久兴

申请人

哈尔滨理工大学

申请人地址

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

专利摘要

基于光选择性调控金属‑二维有机无机杂化钙钛矿超材料的太赫兹环偶器件及其制备方法,它涉及微电子和太赫兹超材料功能器件领域。
它要解决现有太赫兹环偶极子超材料存在结构和制备工艺繁琐、功能单一、应用范围窄的问题。
器件:包括衬底、周期性排列的两个双开口金属谐振环结构单元和两个双开口金属谐振环上分别覆盖不同组分的二维有机无机杂化钙钛矿。
方法:高阻硅上涂光刻胶,前烘、曝光、显影和定影;淀积金属;淀积Parylene,形成掩膜结构;涂钙钛矿溶液;退火;淀积Parylene,形成掩膜结构;涂钙钛矿溶液;退火。
本发明应用条件简便、工作模式可自由切换,工艺简单、成本低。
本发明应用于微电子和太赫兹超材料功能器件领域。

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