目录

专利摘要

本发明提供了一种纳米针阵列及其制备方法和应用。
本发明纳米针阵列制备方法包括的步骤有:在基底表面上形成待刻蚀基材膜层;在所述待刻蚀基材膜层表面形成用于刻蚀纳米针阵列的掩膜层;从所述掩膜层至所述基底的方向,对形成有所述掩膜层的所述待刻蚀基材膜层表面进行第一刻蚀处理,形成纳米柱阵列;对所述纳米柱阵列中的纳米柱的顶端进行第二刻蚀处理,在所述纳米柱顶端形成尖端结构,形成纳米针阵列。
所述纳米针阵列所含的纳米针包括纳米针本体,在所述纳米针本体的针头部为尖端结构。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010662482.2
申请日
2020-07-10
公开日
2020-11-17
公开号
CN111943130A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

杨扬 史鹏 张文军

申请人

深圳市安瑞生物科技有限公司

申请人地址

518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦120

专利摘要

本发明提供了一种纳米针阵列及其制备方法和应用。
本发明纳米针阵列制备方法包括的步骤有:在基底表面上形成待刻蚀基材膜层;在所述待刻蚀基材膜层表面形成用于刻蚀纳米针阵列的掩膜层;从所述掩膜层至所述基底的方向,对形成有所述掩膜层的所述待刻蚀基材膜层表面进行第一刻蚀处理,形成纳米柱阵列;对所述纳米柱阵列中的纳米柱的顶端进行第二刻蚀处理,在所述纳米柱顶端形成尖端结构,形成纳米针阵列。
所述纳米针阵列所含的纳米针包括纳米针本体,在所述纳米针本体的针头部为尖端结构。

相似专利技术