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专利摘要

提供了用于制造受良好地控制的固态纳米孔及固态纳米孔阵列的方法。
一方面,用于制造纳米孔及纳米孔阵列的方法利用物理接缝。
在衬底的顶侧中形成一个或多个蚀坑,并且在衬底的背侧中形成与所述一个或多个蚀坑对准的一个或多个沟槽。
在所述一个或多个蚀坑与所述一个或多个沟槽之间形成开口。
然后,在所述衬底上方形成介电材料以填充所述开口。
然后,在所述衬底的所述顶侧和所述背侧上设置触点,并且从所述顶侧穿过所述介电材料向所述背侧施加电压,反之亦然,从而形成纳米孔。
另一方面,在形成在所述介电材料中的接缝处的所述开口的所述中心处或附近形成所述纳米孔。

专利状态

基础信息

专利号
CN201880060056.2
申请日
2018-08-08
公开日
2021-06-29
公开号
CN111094174B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

菲利普·艾伦·克劳斯 约瑟夫·R·约翰逊

申请人

应用材料公司

申请人地址

美国加利福尼亚州

专利摘要

提供了用于制造受良好地控制的固态纳米孔及固态纳米孔阵列的方法。
一方面,用于制造纳米孔及纳米孔阵列的方法利用物理接缝。
在衬底的顶侧中形成一个或多个蚀坑,并且在衬底的背侧中形成与所述一个或多个蚀坑对准的一个或多个沟槽。
在所述一个或多个蚀坑与所述一个或多个沟槽之间形成开口。
然后,在所述衬底上方形成介电材料以填充所述开口。
然后,在所述衬底的所述顶侧和所述背侧上设置触点,并且从所述顶侧穿过所述介电材料向所述背侧施加电压,反之亦然,从而形成纳米孔。
另一方面,在形成在所述介电材料中的接缝处的所述开口的所述中心处或附近形成所述纳米孔。

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