对薄膜施加第1调制电压，将在薄膜中流过的电流的相位相对第1调制电压的相位的变化量与阈值进行比较，在检测到相位的变化量超过阈值时停止施加第1调制电压，从而在薄膜中高速地形成纳米孔隙。

柳川善光 武田健一 柳至 后藤佑介 松井一真

株式会社日立高新技术

日本东京都

对薄膜施加第1调制电压，将在薄膜中流过的电流的相位相对第1调制电压的相位的变化量与阈值进行比较，在检测到相位的变化量超过阈值时停止施加第1调制电压，从而在薄膜中高速地形成纳米孔隙。