本公开提供一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法,将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合,包括:步骤A:选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域;所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3);步骤B:在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路;步骤C:制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁,完成CMOS‑MEMS集成芯片的制备,采用Inter‑CMOS和Post‑CMOS工艺的融合,减小了器件的寄生电容,降低了信号噪声,大大提高了器件的稳定性和成品率。
赵俊元 朱银芳 王栎皓 杨晋玲 杨富华
中国科学院半导体研究所
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
本公开提供一种CMOS‑MEMS集成芯片的规模化制造方法,将CMOS工艺与MEMS体硅制造工艺有机融合,包括:步骤A:选取SOI基片并在所述SOI基片上划分出CMOS电路区域和MEMS谐振式悬臂梁传感器区域;所述SOI基片包括顶层硅(1)、埋氧层(2)以及体硅(3);步骤B:在步骤A所选取的SOI基片的顶层硅(1)上采用CMOS工艺制作CMOS电路和MEMS谐振式悬臂梁传感器电路;步骤C:制备金电极及MEMS谐振式悬臂梁,完成CMOS‑MEMS集成芯片的制备,采用Inter‑CMOS和Post‑CMOS工艺的融合,减小了器件的寄生电容,降低了信号噪声,大大提高了器件的稳定性和成品率。