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专利摘要

一种结构化基底(100)包括具有活性侧(104)的基底本体(102)。
基底本体(102)包括沿着活性侧(104)开口的反应腔或反应位点(106),和分离反应腔(106)的间隙区域(118)。
结构化基底(100)包括定位在每一个反应腔(106)内的集成放大器(120)。
集成放大器(120)包括多个纳米结构(116),例如二聚体、三聚体、蝶形纳米天线、纳米棒、纳米环、纳米塞,其被配置为进行放大传播到相应的反应腔(106)中的电磁能量(108)或者放大在相应的反应腔(106)内产生的例如发射的荧光的电磁能量(110)中的至少一个。
优选地,腔室(106)内的纳米结构(116)利用例如凝胶(122)的有机材料覆盖。
优选地,纳米压印光刻(NIL)被用于制造结构化基底(100)。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010977928.0
申请日
2016-04-14
公开日
2021-01-15
公开号
CN112229834A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

M.S.鲍恩 袁大军

申请人

亿明达股份有限公司

申请人地址

美国加利福尼亚州

专利摘要

一种结构化基底(100)包括具有活性侧(104)的基底本体(102)。
基底本体(102)包括沿着活性侧(104)开口的反应腔或反应位点(106),和分离反应腔(106)的间隙区域(118)。
结构化基底(100)包括定位在每一个反应腔(106)内的集成放大器(120)。
集成放大器(120)包括多个纳米结构(116),例如二聚体、三聚体、蝶形纳米天线、纳米棒、纳米环、纳米塞,其被配置为进行放大传播到相应的反应腔(106)中的电磁能量(108)或者放大在相应的反应腔(106)内产生的例如发射的荧光的电磁能量(110)中的至少一个。
优选地,腔室(106)内的纳米结构(116)利用例如凝胶(122)的有机材料覆盖。
优选地,纳米压印光刻(NIL)被用于制造结构化基底(100)。

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