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专利摘要

本申请公开一种纳米柱传感器、折射率检测装置及方法,所述纳米柱传感器包括:衬底、设置在所述衬底上的多个传感单元;所述多个传感单元在所述衬底上以预设间隔周期分布;所述多个传感单元中的每个传感单元包括多个纳米柱;其中,入射光照射到所述多个传感单元上时,根据所述多个传感单元产生的磁共振信号来确定所述纳米柱传感器所在空间的背景折射率。
上述方案,能够提升纳米柱传感器的敏感度,且结构简单,易实现。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810859427.5
申请日
2018-08-01
公开日
2019-01-08
公开号
CN109160483A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

刘子维 史丽娜 浦探超 牛洁斌 李海亮 王冠亚 谢常青 刘明

申请人

中国科学院微电子研究所

申请人地址

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

专利摘要

本申请公开一种纳米柱传感器、折射率检测装置及方法,所述纳米柱传感器包括:衬底、设置在所述衬底上的多个传感单元;所述多个传感单元在所述衬底上以预设间隔周期分布;所述多个传感单元中的每个传感单元包括多个纳米柱;其中,入射光照射到所述多个传感单元上时,根据所述多个传感单元产生的磁共振信号来确定所述纳米柱传感器所在空间的背景折射率。
上述方案,能够提升纳米柱传感器的敏感度,且结构简单,易实现。

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