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专利摘要

公开了含有形成人造原子的皮晶量子点的材料。
所述皮晶量子点(以具有近对称的核构型的硼二十面体形式)能够代替证实短程和长程有序(通过实际样品的X‑射线衍射确定的)的结构中的角部硅原子。
还公开了由硼、硅、氢和可选的氧自组装的新类型的富硼组合物。
所述组合物的优选化学计量范围为(B12Hw)xSiyOz,其中3≤w≤5,2≤x≤4,2≤y≤5且0≤z≤3。
通过改变氧含量和重要杂质诸如金的存在与否,能够构造独特电子器件,其改进当前的半导体技术并与之相容。

专利状态

基础信息

专利号
CN201680091202.9
申请日
2016-11-29
公开日
2019-09-20
公开号
CN110267915A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

帕特里克·柯伦

申请人

半核子有限公司

申请人地址

美国德克萨斯州

专利摘要

公开了含有形成人造原子的皮晶量子点的材料。
所述皮晶量子点(以具有近对称的核构型的硼二十面体形式)能够代替证实短程和长程有序(通过实际样品的X‑射线衍射确定的)的结构中的角部硅原子。
还公开了由硼、硅、氢和可选的氧自组装的新类型的富硼组合物。
所述组合物的优选化学计量范围为(B12Hw)xSiyOz,其中3≤w≤5,2≤x≤4,2≤y≤5且0≤z≤3。
通过改变氧含量和重要杂质诸如金的存在与否,能够构造独特电子器件,其改进当前的半导体技术并与之相容。

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