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专利摘要

本发明的气体精制方法,使用具有分子筛作用的碳膜,对含有10ppm以下杂质的选自由氢化物气体、卤化氢气体和卤素气体构成的组中的至少一种进行精制。
本发明可适用于回收已使用完的气体并重新用作超高纯度的半导体材料气体的回收装置,以及可适用于制造或填充超高纯度的半导体材料气体的装置或设备。

专利状态

基础信息

专利号
CN200880110834.0
申请日
2008-10-09
公开日
2010-09-01
公开号
CN101820971A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

宫泽让 小林芳彦 原谷贤治 吉宗美纪

申请人

大阳日酸株式会社 独立行政法人产业技术综合研究所

申请人地址

日本东京

专利摘要

本发明的气体精制方法,使用具有分子筛作用的碳膜,对含有10ppm以下杂质的选自由氢化物气体、卤化氢气体和卤素气体构成的组中的至少一种进行精制。
本发明可适用于回收已使用完的气体并重新用作超高纯度的半导体材料气体的回收装置,以及可适用于制造或填充超高纯度的半导体材料气体的装置或设备。

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