目录

专利摘要

本申请公开了一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法,通过所述制备方法制备出含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂,由于铋缺陷的形成,可在光催化剂的价带与导带之间构建一个缺陷中间能级,改变了光生电子的激发传输路径,促进了光生电荷的迁移转化,进而抑制了光生电子‑空穴对的复合,采用硼氢化钠将Bi

专利状态

基础信息

专利号
CN201811072043.5
申请日
2018-09-14
公开日
2021-06-01
公开号
CN109250755B
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

董帆 雷奔 李宇涵 王红

申请人

重庆工商大学

申请人地址

400067 重庆市南岸区学府大道19号

专利摘要

本申请公开了一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法,通过所述制备方法制备出含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂,由于铋缺陷的形成,可在光催化剂的价带与导带之间构建一个缺陷中间能级,改变了光生电子的激发传输路径,促进了光生电荷的迁移转化,进而抑制了光生电子‑空穴对的复合,采用硼氢化钠将Bi

相似专利技术