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专利摘要

本发明提供了一种柔性异质纳米片赝电容正极材料,涉及电容器制造领域。
制备步骤如下:(1)碳布亲水性及镀银处理;(2)超级电容器正极材料锡锑前驱体阵列的制备;(3)采用原位还原法制备锡锑合金纳米片阵列;(4)正极材料锡锑合金‑硫化锡锑异质纳米片的制备。
本正极材料在三维碳布上直接生长,具有锡锑合金‑硫化锡锑异质纳米片阵列结构,具有高纯度、高密度、高取向性的特点;所述正极材料形貌整齐,且生长条件严格可控、设备和工艺简单、电容量高、充放电稳定性好,具有广阔的应用前景。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010392366.3
申请日
2020-05-11
公开日
2020-08-18
公开号
CN111554514A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

罗绍华 闫绳学 王庆 张亚辉 刘忻 冯建 李鹏伟 张琳

申请人

东北大学秦皇岛分校

申请人地址

066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区泰山路143号

专利摘要

本发明提供了一种柔性异质纳米片赝电容正极材料,涉及电容器制造领域。
制备步骤如下:(1)碳布亲水性及镀银处理;(2)超级电容器正极材料锡锑前驱体阵列的制备;(3)采用原位还原法制备锡锑合金纳米片阵列;(4)正极材料锡锑合金‑硫化锡锑异质纳米片的制备。
本正极材料在三维碳布上直接生长,具有锡锑合金‑硫化锡锑异质纳米片阵列结构,具有高纯度、高密度、高取向性的特点;所述正极材料形貌整齐,且生长条件严格可控、设备和工艺简单、电容量高、充放电稳定性好,具有广阔的应用前景。

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