本发明公开了一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法，包括：1)利用氯化盐粉末作为生长基底；2)用单质硫和过渡金属的氧化物(或氯化物)作为前驱体放置在气流上游；3)通入载气去除残留空气，气流稳定后，将单质硫和过渡金属的氧化物(或氯化物)和氯化盐粉末分别加热至不同温度，保温一定时间，在基底上生长得到过渡金属硫化物纳米片。
利用氯化盐粉末作为三维基底，可以实现半导体性和金属性过渡金属硫化物纳米片的批量制备。

张艳锋 朱莉杰 郇亚欢

北京大学

100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明公开了一种过渡金属硫化物纳米片粉体的制备方法，包括：1)利用氯化盐粉末作为生长基底；2)用单质硫和过渡金属的氧化物(或氯化物)作为前驱体放置在气流上游；3)通入载气去除残留空气，气流稳定后，将单质硫和过渡金属的氧化物(或氯化物)和氯化盐粉末分别加热至不同温度，保温一定时间，在基底上生长得到过渡金属硫化物纳米片。
利用氯化盐粉末作为三维基底，可以实现半导体性和金属性过渡金属硫化物纳米片的批量制备。