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专利摘要

本发明涉及一种3D杨絮衍生碳支撑NiCo‑LDH纳米片超级电容器及制备方法,属于电容器技术领域。
本发明超级电容器由3D杨絮衍生碳与NiCo‑LDH纳米片组成,3D杨絮衍生碳尺寸达到微米级具有丰富的孔结构,与3D杨絮衍生碳框架复合后NiCo‑LDH纳米片棒尺寸减小。
本发明的3D杨絮衍生碳支撑NiCo‑LDH纳米片超级电容器,具有良好的比容量,本发明制备方成本低廉,复合材料的倍率性能优越。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010137674.1
申请日
2020-03-02
公开日
2020-06-26
公开号
CN111341567A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

魏明志 张学涛 卢启芳 郭恩言 马超群 马迪 冯建嵩

申请人

齐鲁工业大学

申请人地址

250306 山东省济南市长清大学路3501号

专利摘要

本发明涉及一种3D杨絮衍生碳支撑NiCo‑LDH纳米片超级电容器及制备方法,属于电容器技术领域。
本发明超级电容器由3D杨絮衍生碳与NiCo‑LDH纳米片组成,3D杨絮衍生碳尺寸达到微米级具有丰富的孔结构,与3D杨絮衍生碳框架复合后NiCo‑LDH纳米片棒尺寸减小。
本发明的3D杨絮衍生碳支撑NiCo‑LDH纳米片超级电容器,具有良好的比容量,本发明制备方成本低廉,复合材料的倍率性能优越。

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