本发明公开了一种3D体硅微型电容器的制作方法，包括3D体硅衬底结构的制作、适用于该3D结构活性材料的引入和电容器的三种封装与集成。
首先，深硅刻蚀得到镂空的3D硅基梳齿衬底，再对梳齿的上下表面和侧壁包覆碳基导电层和活性材料，最后在表面涂敷胶状电解质，并进行封装与集成，得到所述3D体硅微型电容器。
相对于传统的梳齿型平面结构，本发明提供的微型电容器电极的纵向高度得到延伸，可利用的电极表面积从二维平面扩展至三维的表面与纵向侧壁，3D电极能负载更多的活性材料，从而使比电容和比能量密度提升；且3D梳齿结构的活性材料引入方法对3D电容器的研究有重要意义，提出的封装和集成方法保证了电容器的稳定和寿命。

王玉容 孙雷蒙 肖东阳 胡方靖 涂良成

华中科技大学

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明公开了一种3D体硅微型电容器的制作方法，包括3D体硅衬底结构的制作、适用于该3D结构活性材料的引入和电容器的三种封装与集成。
首先，深硅刻蚀得到镂空的3D硅基梳齿衬底，再对梳齿的上下表面和侧壁包覆碳基导电层和活性材料，最后在表面涂敷胶状电解质，并进行封装与集成，得到所述3D体硅微型电容器。
相对于传统的梳齿型平面结构，本发明提供的微型电容器电极的纵向高度得到延伸，可利用的电极表面积从二维平面扩展至三维的表面与纵向侧壁，3D电极能负载更多的活性材料，从而使比电容和比能量密度提升；且3D梳齿结构的活性材料引入方法对3D电容器的研究有重要意义，提出的封装和集成方法保证了电容器的稳定和寿命。