发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体 下载此专利PDF版本

CN201310409582.4 陶瓷 浓度 半导体 发热 离子

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专利摘要

本发明提供一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，可增加外围超氧根离子(O

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN201310409582.4
申请日
2013-09-10
公开日
2016-08-10
公开号
CN104418590B
主分类号
/C/C01/ 化学；冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

张崇泰 张家豪

申请人

张崇泰 张家豪

申请人地址

中国台湾台南市永康区中华路154巷10号

专利摘要

本发明提供一种发热后可增加外围超氧根离子浓度之陶瓷半导体，可增加外围超氧根离子(O

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