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专利摘要

本发明涉及新材料技术领域,特别涉及一种氟化石墨烯的制备方法。
本发明提供一种氟化石墨烯的制备方法,包括如下步骤:S1)、在惰性气体保护下,石墨烯与第一氟化剂发生氟化反应,反应温度为150‑550℃,反应时间为2‑20h,得到氟化石墨烯粗产品;所述石墨烯为石墨烯粉末,或石墨烯薄膜;所述第一氟化剂包括氟气;S2)、在惰性气体保护下,将所述氟化石墨烯粗产品与第二氟化剂发生氟化反应,反应温度为150‑400℃,反应时间为2‑10h,得到氟化石墨烯;所述第二氟化剂为气相氟化物。
采用本发明提供的方法,可制备出高氟含量的氟化石墨烯,其氟含量接近于理论值水平,缺陷密度低。

专利状态

基础信息

专利号
CN201610214775.8
申请日
2016-04-07
公开日
2019-01-22
公开号
CN105883745B
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

严瑾

申请人

严瑾

申请人地址

518049 广东省深圳市福田区金海燕花园3-11E室

专利摘要

本发明涉及新材料技术领域,特别涉及一种氟化石墨烯的制备方法。
本发明提供一种氟化石墨烯的制备方法,包括如下步骤:S1)、在惰性气体保护下,石墨烯与第一氟化剂发生氟化反应,反应温度为150‑550℃,反应时间为2‑20h,得到氟化石墨烯粗产品;所述石墨烯为石墨烯粉末,或石墨烯薄膜;所述第一氟化剂包括氟气;S2)、在惰性气体保护下,将所述氟化石墨烯粗产品与第二氟化剂发生氟化反应,反应温度为150‑400℃,反应时间为2‑10h,得到氟化石墨烯;所述第二氟化剂为气相氟化物。
采用本发明提供的方法,可制备出高氟含量的氟化石墨烯,其氟含量接近于理论值水平,缺陷密度低。

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