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专利摘要

本发明公开了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法,包括以下步骤:(1)将金属配位氢化物与有机溶剂混合后干燥,得到一维配位聚合物;(2)将步骤(1)中得到的一维配位聚合物进行机械球磨,在机械球磨的过程中,气化的一维配位聚合物在衬底材料上沉积生长,得到配位聚合物的纳米棒;(3)将步骤(2)中得到的配位聚合物的纳米棒中的有机配体除去,得到金属配位氢化物纳米棒。
本发明提供了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法,该方法操作简单,方便易行,具有良好的普适性,且制备出的金属配位氢化物纳米棒的纯度高。

专利状态

基础信息

专利号
CN201310335388.6
申请日
2013-08-02
公开日
2015-04-15
公开号
CN103407964B
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

刘永锋 庞越鹏 潘洪革 高明霞

申请人

浙江大学

申请人地址

310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号

专利摘要

本发明公开了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法,包括以下步骤:(1)将金属配位氢化物与有机溶剂混合后干燥,得到一维配位聚合物;(2)将步骤(1)中得到的一维配位聚合物进行机械球磨,在机械球磨的过程中,气化的一维配位聚合物在衬底材料上沉积生长,得到配位聚合物的纳米棒;(3)将步骤(2)中得到的配位聚合物的纳米棒中的有机配体除去,得到金属配位氢化物纳米棒。
本发明提供了一种制备金属配位氢化物纳米棒的方法,该方法操作简单,方便易行,具有良好的普适性,且制备出的金属配位氢化物纳米棒的纯度高。

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