本发明公开了一种硫代锡酸铟电极材料及其制备方法，将氯化亚锡、硫酸铟和硫脲溶解于溶剂中，磁力搅拌至形成均匀混合溶液，将溶液转移至反应釜中，高温密闭反应一段时间，随炉冷却至室温；交替使用乙醇和超纯水进行离心清洗，然后真空干燥得到黑色粉体，即硫代锡酸铟电极材料。
制得的硫代锡酸铟电极材料具有由纳米片交错生长形成球花状疏松多孔的分级结构，球花的平均直径为6μm，纳米片的平均厚度为25nm。
本发明采用溶剂热法，制备方法操作简单，制得的硫代锡酸铟电极材料具有较高的质量比电容值和优异的循环稳定性，可以用于超级电容器电极材料。

戴玉明 曾钰涵 丛园 姜通通 黄沈虎 黄贺贺 高雅欣

南京工程学院

211167 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号

本发明公开了一种硫代锡酸铟电极材料及其制备方法，将氯化亚锡、硫酸铟和硫脲溶解于溶剂中，磁力搅拌至形成均匀混合溶液，将溶液转移至反应釜中，高温密闭反应一段时间，随炉冷却至室温；交替使用乙醇和超纯水进行离心清洗，然后真空干燥得到黑色粉体，即硫代锡酸铟电极材料。
制得的硫代锡酸铟电极材料具有由纳米片交错生长形成球花状疏松多孔的分级结构，球花的平均直径为6μm，纳米片的平均厚度为25nm。
本发明采用溶剂热法，制备方法操作简单，制得的硫代锡酸铟电极材料具有较高的质量比电容值和优异的循环稳定性，可以用于超级电容器电极材料。