本发明属于纳米氧化铟的制备技术领域，具体涉及一种尺寸均匀的氧化铟纳米棒及其制备方法与应用。
该方法首先用四水合三氯化铟、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG‑600)、去离子水和KOH制备氢氧化铟前驱体粉体，然后将重新分散的氢氧化铟前驱体粉体进行梯度离心，最后经过高温煅烧即得到尺寸均匀的的氧化铟纳米棒。
该的氧化铟纳米棒直径为30～50nm，长度为1～5μm，长径比的范围为20～170。
纳米棒呈单根分散的形式存在，有利于其在光电器件、气敏、传感等方面的应用。
其工艺简单可行，反应条件较为温和，便于大规模生产。

刘岚 彭泽飞 李林桦 郑荣敏 邓智富 邢舒婷 李俊云 伍垚屹

华南理工大学

510640 广东省广州市天河区五山路381号

本发明属于纳米氧化铟的制备技术领域，具体涉及一种尺寸均匀的氧化铟纳米棒及其制备方法与应用。
该方法首先用四水合三氯化铟、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、聚乙二醇(PEG‑600)、去离子水和KOH制备氢氧化铟前驱体粉体，然后将重新分散的氢氧化铟前驱体粉体进行梯度离心，最后经过高温煅烧即得到尺寸均匀的的氧化铟纳米棒。
该的氧化铟纳米棒直径为30～50nm，长度为1～5μm，长径比的范围为20～170。
纳米棒呈单根分散的形式存在，有利于其在光电器件、气敏、传感等方面的应用。
其工艺简单可行，反应条件较为温和，便于大规模生产。