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专利摘要

本发明提供一种表面无序的纳米材料的制备方法,包括以下步骤:A)将半导体氧化物粉末加入去离子水中,进行超声,得到半导体氧化物悬浊液;所述半导体氧化物粉末的质量与去离子水的体积比为(1~10)g:(0.1~100)mL;B)使用功率为0.01~5.0W的激光照射所述半导体氧化物悬浊液1~500min,得到激光处理后的半导体氧化物悬浊液;C)将所述激光处理后的半导体氧化物悬浊液进行离心和干燥,得到表面无序的纳米材料。
本发明除了酸碱试剂之外,不需要加入其它试剂等,且不需要高温高压反应装置,操作方便,所需时间短,制备的表面无序纳米材料在可见光波段均有吸收。
本发明还提供一种表面无序的纳米材料。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910689841.0
申请日
2019-07-29
公开日
2019-10-18
公开号
CN110342468A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

陈星 刘可为 刘雷 张振中 李炳辉 申德振

申请人

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请人地址

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

专利摘要

本发明提供一种表面无序的纳米材料的制备方法,包括以下步骤:A)将半导体氧化物粉末加入去离子水中,进行超声,得到半导体氧化物悬浊液;所述半导体氧化物粉末的质量与去离子水的体积比为(1~10)g:(0.1~100)mL;B)使用功率为0.01~5.0W的激光照射所述半导体氧化物悬浊液1~500min,得到激光处理后的半导体氧化物悬浊液;C)将所述激光处理后的半导体氧化物悬浊液进行离心和干燥,得到表面无序的纳米材料。
本发明除了酸碱试剂之外,不需要加入其它试剂等,且不需要高温高压反应装置,操作方便,所需时间短,制备的表面无序纳米材料在可见光波段均有吸收。
本发明还提供一种表面无序的纳米材料。

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