本发明属于光电子材料领域，公开了一种锰掺杂全无机钙钛矿二维纳米片及其制备与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)将氯化锰和氯化铅溶解于十八稀中，加入表面活性剂油酸和油胺，得到氯化锰和氯化铅的前驱体；将乙酸铯溶解于十八烯，加入助溶剂油酸，完全溶解后得到铯前驱体；(2)将步骤(1)得到的铯前驱体加入到氯化锰和氯化铅的前驱体中，在100℃的条件下，保温1min；然后冰浴10s，即可得到掺锰全无机钙钛矿二维纳米片。
本发明通过对制备方法进行改进，制得的锰掺杂全无机二维钙钛矿纳米片的发光效率达到53％，与现有技术相比能够有效解决锰掺杂全无机二维钙钛矿发光效率较低的问题。

臧剑锋 陈卓 董侣明

华中科技大学

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明属于光电子材料领域，公开了一种锰掺杂全无机钙钛矿二维纳米片及其制备与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)将氯化锰和氯化铅溶解于十八稀中，加入表面活性剂油酸和油胺，得到氯化锰和氯化铅的前驱体；将乙酸铯溶解于十八烯，加入助溶剂油酸，完全溶解后得到铯前驱体；(2)将步骤(1)得到的铯前驱体加入到氯化锰和氯化铅的前驱体中，在100℃的条件下，保温1min；然后冰浴10s，即可得到掺锰全无机钙钛矿二维纳米片。
本发明通过对制备方法进行改进，制得的锰掺杂全无机二维钙钛矿纳米片的发光效率达到53％，与现有技术相比能够有效解决锰掺杂全无机二维钙钛矿发光效率较低的问题。