In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法 下载此专利PDF版本

CN201910189274.2 掺杂

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专利摘要

本发明提供一种In掺杂的Cu‑S基热电材料及其制备方法，Cu‑S基热电材料的化学通式为2*(1‑y)Cu

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 发明公开

基础信息

专利号
CN201910189274.2
申请日
2019-03-13
公开日
2020-09-22
公开号
CN111689512A
主分类号
/C/C01/ 化学；冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

赵晓辉 陈海燕 唐志永 陈小源 孙予罕

申请人

中国科学院上海高等研究院 中国科学院大学

申请人地址

201210 上海市浦东新区海科路99号

专利摘要

本发明提供一种In掺杂的Cu‑S基热电材料及其制备方法，Cu‑S基热电材料的化学通式为2*(1‑y)Cu

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