本发明公开了一种利用核壳结构纳米颗粒制备纳米晶碳化硅陶瓷的方法，包括，制备碳化硅/碳核壳结构纳米颗粒，再与烧结助剂混合均匀后进行预处理得到碳化硅陶瓷粉体，随后进行高温烧结即得纳米晶碳化硅陶瓷。
本发明通过制备碳化硅/碳核壳结构纳米颗粒，碳层的存在可抑制烧结过程中的晶粒生长，同时碳层与烧结助剂原位反应促进烧结，烧结后制备纳米晶碳化硅陶瓷，所需烧结温度和压力显著降低，制得的碳化硅陶瓷致密度高，机械强度高，晶粒尺寸小于200nm；本发明采用原位气相沉积法制备碳化硅/碳核壳结构纳米颗粒，其分散性好，粒径为10‑30nm，且碳壳层厚度小于2nm；其工艺流程简单，成本低，可连续生产，制得的碳化硅陶瓷的纯度高，性能优良，应用广泛。

刘荣正 赵健 刘马林 常家兴 邵友林 刘兵

清华大学

100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

本发明公开了一种利用核壳结构纳米颗粒制备纳米晶碳化硅陶瓷的方法，包括，制备碳化硅/碳核壳结构纳米颗粒，再与烧结助剂混合均匀后进行预处理得到碳化硅陶瓷粉体，随后进行高温烧结即得纳米晶碳化硅陶瓷。
本发明通过制备碳化硅/碳核壳结构纳米颗粒，碳层的存在可抑制烧结过程中的晶粒生长，同时碳层与烧结助剂原位反应促进烧结，烧结后制备纳米晶碳化硅陶瓷，所需烧结温度和压力显著降低，制得的碳化硅陶瓷致密度高，机械强度高，晶粒尺寸小于200nm；本发明采用原位气相沉积法制备碳化硅/碳核壳结构纳米颗粒，其分散性好，粒径为10‑30nm，且碳壳层厚度小于2nm；其工艺流程简单，成本低，可连续生产，制得的碳化硅陶瓷的纯度高，性能优良，应用广泛。