硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用 下载此专利PDF版本

CN201810618675.0 晶体 硫化钡 光学

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专利摘要

本发明涉及一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为BaB

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN201810618675.0
申请日
2018-06-15
公开日
2020-12-11
公开号
CN108588840B
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

潘世烈 李广卯 武奎 李昊 杨志华

申请人

中国科学院新疆理化技术研究所

申请人地址

830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号

专利摘要

本发明涉及一种硼硫化钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为BaB

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