本发明属于含氮半导体石墨制备技术领域，尤其是一种含氮半导体石墨及其制备方法，针对现有技术石墨的制备方式复杂，不具有含氮半导体石墨，且现有的石墨导电性能受到材质不能的局限，导电性能差的问题，现提出如下方案，其包括包括以下成分：氮源10‑20份，石墨40‑50份，镍包碳纤维炭黑2‑4份、金属粉2‑6份、金属纤维3‑6份、碳纤维3‑7份，磷铜粉2‑4份，粘稠剂5‑10份，分散剂3‑6份，防腐剂2‑5份，氮源包括氮气、氮化硅、氮化镁、氮化钙、氮化碳，镍包碳纤维炭黑、金属粉、金属纤维、碳纤维和磷铜粉均具有导电性。
本发明制备操作方便，可以制备含氮半导体石墨，可以提高石墨导电性能。

纪永良 张培林 武建军 柴利春 张作文 王志辉

大同新成新材料股份有限公司

037002 山西省大同市新荣区花园屯村

本发明属于含氮半导体石墨制备技术领域，尤其是一种含氮半导体石墨及其制备方法，针对现有技术石墨的制备方式复杂，不具有含氮半导体石墨，且现有的石墨导电性能受到材质不能的局限，导电性能差的问题，现提出如下方案，其包括包括以下成分：氮源10‑20份，石墨40‑50份，镍包碳纤维炭黑2‑4份、金属粉2‑6份、金属纤维3‑6份、碳纤维3‑7份，磷铜粉2‑4份，粘稠剂5‑10份，分散剂3‑6份，防腐剂2‑5份，氮源包括氮气、氮化硅、氮化镁、氮化钙、氮化碳，镍包碳纤维炭黑、金属粉、金属纤维、碳纤维和磷铜粉均具有导电性。
本发明制备操作方便，可以制备含氮半导体石墨，可以提高石墨导电性能。